目前只有中芯国际南方厂能量产14nm工艺，当时给华为代工的麒麟710a良品率没到7成，目前大家关心的国产光刻机，目前以商用的上海微电子，SSA600/20的干式DUV光刻机，分辨率90nm，非双工件台系统，所以简单点说，刻一层薄一层，极限就是65nm了，再刻一遍的技术也没问题，但是晶圆片承受不住，所以90nm光刻机想做28nm芯片多重曝光下良品率最理想的状态是百分之一到百分之三，甚至良品率可能会更低，这种良品率是无法接受的，所以90nm光刻机最适合量产芯片最多也就是65nm。
只说能不能造出来没有意义，关键要看能不能进行大规模量产
借前辈的话：我们想过无数个办法，但从来没有想过放弃。